三星电子首款12纳米级DDR5 DRAM开发成功

三星电子宣布，将于2023年开始量产全新的DRAM。这款DRAM采用12纳米级工艺技术打造，拥有更高的能效和卓越的性能，将推动未来计算、数据中心和人工智能应用的发展。

据悉，三星电子已成功开发出12纳米级工艺技术打造的16Gb DDR5DRAM。该产品经过与AMD兼容性方面的评估，技术一流，质量可靠。

三星电子高级副总裁兼DRAM产品与技术负责人JooyoungLee表示："12纳米级DRAM将成为驱动市场普及DDR5DRAM的关键所在。我们期待通过这款高效、性能卓越的DRAM货真价实地成为未来计算、数据中心和AI驱动系统等领域的基础。"

AMD高级副总裁、兼客户、计算、图形首席技术官JoeMacri表示："创新总会需要与伙伴密切合作，一起将技术推向极限。我们很高兴再次与三星电子合作，共同推出在Zen平台上优化和验证的DDR5内存产品。"

为了突破这一技术，三星电子使用了一种新的高介电材料，以增加电池电容，并采用了改进关键电路特性的专利设计技术。通过使用超先进的多层极紫外光刻技术，带来了三星最高的DDR5Die密度，晶圆生产率提高了20%。

基于DDR5的最新标准，三星12纳米级DRAM将能够达到每秒7.2千兆（Gbps）的速度，可以在一秒内处理两个30GB的超高清电影。这款DRAM具有卓越的速度和更高的能效。与上一代三星DRAM产品相比，12纳米级DRAM的功耗降低了约23%。这对于更多环保经营的全球IT企业来说将是一个很好的选择。

随着2023年新款DRAM量产，三星计划将把这种先进的12纳米级工艺技术运用到更广泛的市场领域中，并与行业伙伴继续合作，推动下一代计算的快速发展。