SK海力士成功研发全球最高层238层４D NAND闪存

新闻概要

SK海力士（或‘公司'，www.skhynix.com）于8月3日宣布成功研发全球首款业界最高层数的238层NAND闪存，并将于明年上半年正式投入量产。此次研发成功，不仅实现了业界最高堆栈层数，还实现了全球最小的面积，并显著改善了生产效率、数据传输速度、功耗等特性。公司表示：“自2020年12月完成176层NAND闪存研发以来，时隔仅1年7个月，SK海力士全球首次成功完成了新一代技术的研发。公司将持续创新，并不断突破技术瓶颈。”

单元信息存储容量越大，意味着单位面积可以存储的数据越多。因此，238层512GbTLC（TripleLevelCell）*4DNAND闪存具备更高的密度，并且每单位面积比176层NAND闪存更小，可以在相同大小的硅晶片生产出更多的芯片，因此其生产效率也提高了34%。同时，238层NAND闪存的数据传输速度为2.4Gbps，相比前一代产品提高了50%，芯片读取数据时的能源消耗也减少了21%。

SK海力士在美国圣克拉拉举行的2022闪存峰会（FlashMemorySummit2022）上首次亮相了238层NAND闪存新产品。在峰会主题演讲中，崔正达SK海力士NAND闪存开发担当表示：“基于其4DNAND闪存技术，SK海力士全球首次成功研发了238层NAND闪存，进而确保了成本、性能、产品质量等层面的全球领先竞争力。公司将持续创新，并不断突破技术瓶颈。”

为成功研发4D架构的芯片，SK海力士采用了电荷捕获型技术（CTF，ChargeTrapFlash）和PUC（Peri.UnderCell）技术。电荷捕获型技术将电荷存储在绝缘体中，以解决单元间的干扰问题，从而可缩小芯片的单元面积，同时提高数据的读写性能。PUC技术则将外围电路放置在存储单元的下方，以最大化生产效率。

SK海力士计划先为cSSD（clientSSD，主要应用范围为PC用存储设备）供应238层NAND闪存，随后将其导入范围逐渐延伸至智能手机和高容量的服务器SSD等。因此，SK海力士通过节省芯片的电力消耗，在ESG方面也取得了可圈可点的进步。

企业还将在明年推出1Tb密度的全新238层NAND闪存产品，其密度是目前产品的两倍。